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SKU / ArtikelnummerDDR3-ACT4GHR72ACT4GHR72N8J1333S, ACT4GHR72N8J1333S-LV, ACT4GHR72N8J1600S, ACT4GHR72N8J1600S-LV, ACT4GHR72N8J1866S, ACT4GHR72N8J1866S-LV, ACT4GHR72P8H1333S, ACT4GHR72P8H1333S-LV, ACT4GHR72P8H1600S, ACT4GHR72P8H1600S-LV, ACT4GHR72P8H1866S, ACT4GHR72P8H1866S-LV
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeRegistered DIMM
IC Data Rate1600, 1866, DDR3-1333
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1333
CL9, 11, 13
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (2 GB), 7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
IC Data Rate
DIMM Datarate
Stromversorgung Eingangsspannung
12 Standardvarianten

Innodisk, ACT4GHR72N8J1333S, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Data Rate DDR3-1333
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, ACT4GHR72N8J1333S-LV, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Data Rate DDR3-1333
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, ACT4GHR72N8J1600S, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Data Rate 1600
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, ACT4GHR72N8J1600S-LV, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Data Rate 1600
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, ACT4GHR72N8J1866S, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Data Rate 1866
DIMM Datarate 1866
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, ACT4GHR72N8J1866S-LV, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Data Rate 1866
DIMM Datarate 1866
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, ACT4GHR72P8H1333S, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Data Rate DDR3-1333
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, ACT4GHR72P8H1333S-LV, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Data Rate DDR3-1333
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, ACT4GHR72P8H1600S, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Data Rate 1600
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, ACT4GHR72P8H1600S-LV, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Data Rate 1600
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, ACT4GHR72P8H1866S, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Data Rate 1866
DIMM Datarate 1866
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, ACT4GHR72P8H1866S-LV, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Data Rate 1866
DIMM Datarate 1866
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V