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SKU / ArtikelnummerDDR3-M3BT-2GSSCM3BT-2GSSCC0E-E, M3BT-2GSSCCN9-E, M3BT-2GSSCCPC-E, M3BT-2GSSCL0E-E, M3BT-2GSSCLN9-E, M3BT-2GSSCLPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM Type32bit Unbuffered SO-DIMM
IC Data Rate1866 1.35v
Kapazität2 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/NC
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
DIMM Datarate1600, DDR3-1333, Original specification
CL9, 11, 13
Die VersionE
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (2 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
Grade
DIMM Datarate
Stromversorgung Eingangsspannung
6 Standardvarianten

Innodisk, M3BT-2GSSCC0E-E, -
System Speicher CL 13
Grade Commercial
DIMM Datarate Original specification
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3BT-2GSSCCN9-E, -
System Speicher CL 9
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3BT-2GSSCCPC-E, -
System Speicher CL 11
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3BT-2GSSCL0E-E, -
System Speicher CL 13
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate Original specification
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3BT-2GSSCLN9-E, -
System Speicher CL 9
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3BT-2GSSCLPC-E, -
System Speicher CL 11
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V