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SKU / ArtikelnummerDDR3-M3S0M3S0-4GHSECN9, M3S0-4GHSECPC, M3S0-4GSJUCN9, M3S0-4GSJUCPC, M3S0-4GSJUCQE, M3S0-4GSJULN9, M3S0-4GSJULPC, M3S0-4GSJULQE, M3S0-4GSSECN9, M3S0-4GSSECPC, M3S0-4GSSELN9, M3S0-4GSSELPC
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität4 GB
IC BrandHynix, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NE, U
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1333
CL9, 11, 13
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (2 GB), 7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge68 mm
Höhe25 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
PCB S/N
Stromversorgung Eingangsspannung
12 Standardvarianten

Innodisk, M3S0-4GHSECN9, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Hynix
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3S0-4GHSECPC, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Hynix
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3S0-4GSJUCN9, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3S0-4GSJUCPC, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3S0-4GSJUCQE, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate 1866
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3S0-4GSJULN9, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3S0-4GSJULPC, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3S0-4GSJULQE, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1866
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3S0-4GSSECN9, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3S0-4GSSECPC, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3S0-4GSSELN9, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3S0-4GSSELPC, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V