Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-M3ST-4GM3ST-4GSJUC0E-F, M3ST-4GSJUCN9-F, M3ST-4GSJUCPC-F, M3ST-4GSJUL0E-F, M3ST-4GSJULN9-F, M3ST-4GSJULPC-F, M3ST-4GSSECN9-E, M3ST-4GSSECPC-E, M3ST-4GSSELN9-E, M3ST-4GSSELPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate1866 1.35v
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NE, U
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
DIMM Datarate1600, DDR3-1333, Original specification
CL9, 11, 13
Die VersionE, F
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (2 GB), 7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge68 mm
Höhe25 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
Stromversorgung Eingangsspannung
10 Standardvarianten

Innodisk, M3ST-4GSJUC0E-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version F
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GSJUCN9-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version F
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GSJUCPC-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version F
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GSJUL0E-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version F
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3ST-4GSJULN9-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version F
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3ST-4GSJULPC-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version F
PCB S/N U
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3ST-4GSSECN9-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version E
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GSSECPC-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version E
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GSSELN9-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version E
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3ST-4GSSELPC-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version E
PCB S/N E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V