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SKU / ArtikelnummerDDR3-M3ST-4GMM3ST-4GMJDC0E-K, M3ST-4GMJDCN9-K, M3ST-4GMJDCPC-K, M3ST-4GMSCC0E-P, M3ST-4GMSCCN9-P, M3ST-4GMSCCPC-P, M3ST-4GMJDL0E-K, M3ST-4GMJDLN9-K, M3ST-4GMJDLPC-K, M3ST-4GMSCL0E-P, M3ST-4GMSCLN9-P, M3ST-4GMSCLPC-P
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate1866 1.35v
Kapazität4 GB
IC BrandMicron
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NC, D
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
DIMM Datarate1600, DDR3-1333, Original specification
CL9, 11, 13
Die VersionK, P
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (2 GB), 7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
Stromversorgung Eingangsspannung
12 Standardvarianten

Innodisk, M3ST-4GMJDC0E-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version K
PCB S/N D
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GMJDCN9-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version K
PCB S/N D
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GMJDCPC-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version K
PCB S/N D
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GMJDL0E-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version K
PCB S/N D
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3ST-4GMJDLN9-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version K
PCB S/N D
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3ST-4GMJDLPC-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version K
PCB S/N D
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3ST-4GMSCC0E-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version P
PCB S/N C
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GMSCCN9-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version P
PCB S/N C
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GMSCCPC-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version P
PCB S/N C
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3ST-4GMSCL0E-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version P
PCB S/N C
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3ST-4GMSCLN9-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version P
PCB S/N C
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3ST-4GMSCLPC-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version P
PCB S/N C
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V