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SKU / ArtikelnummerDDR3-M3UTM3UT-4GMSBI0E-P, M3UT-4GMSBIN9-P, M3UT-4GMSBIPC-P, M3UT-4GNJAI0E-J, M3UT-4GNJAIN9-J, M3UT-4GNJAIPC-J, M3UT-4GMSBD0E-P, M3UT-4GMSBDN9-P, M3UT-4GMSBDPC-P, M3UT-4GNJAD0E-J, M3UT-4GNJADN9-J, M3UT-4GNJADPC-J, M3UT-4GMSBDM7-P
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate1866 1.35v
Kapazität4 GB
IC BrandMicron, Nanya
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NA, B
GradeLow Voltage & Wide Temperature -40~+85°C red color PCB, Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate1600, DDR3-1066, DDR3-1333, Original specification
CL7, 9, 11, 13
Die VersionJ, P
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (2 GB), 7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeLänge133 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
Stromversorgung Eingangsspannung
13 Standardvarianten

Innodisk, M3UT-4GMSBD0E-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Low Voltage & Wide Temperature -40~+85°C red color PCB
DIMM Datarate Original specification
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GMSBDM7-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 7
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Low Voltage & Wide Temperature -40~+85°C red color PCB
DIMM Datarate DDR3-1066
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GMSBDN9-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Low Voltage & Wide Temperature -40~+85°C red color PCB
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GMSBDPC-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Low Voltage & Wide Temperature -40~+85°C red color PCB
DIMM Datarate 1600
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GMSBI0E-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate Original specification
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GMSBIN9-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GMSBIPC-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 1600
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GNJAD0E-J, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Nanya
Grade Low Voltage & Wide Temperature -40~+85°C red color PCB
DIMM Datarate Original specification
Die Version J
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GNJADN9-J, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Nanya
Grade Low Voltage & Wide Temperature -40~+85°C red color PCB
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version J
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GNJADPC-J, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Nanya
Grade Low Voltage & Wide Temperature -40~+85°C red color PCB
DIMM Datarate 1600
Die Version J
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GNJAI0E-J, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Nanya
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate Original specification
Die Version J
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GNJAIN9-J, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Nanya
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version J
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GNJAIPC-J, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Nanya
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 1600
Die Version J
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V