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M3UT-4GM
DIMM-DDR3/3L-4GB
(SKUs: M3UT-4GMJAC0E-K, M3UT-4GMJACN9-K, M3UT-4GMJACPC-K, M3UT-4GMJAL0E-K, M3UT-4GMJALN9-K, M3UT-4GMJALPC-K, M3UT-4GMSBC0E-P, M3UT-4GMSBCN9-P, M3UT-4GMSBCPC-P, M3UT-4GMSBL0E-P, M3UT-4GMSBLN9-P, M3UT-4GMSBLPC-P)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Embedded > LONG DIMM > DDR3

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-M3UT-4GMM3UT-4GMJAC0E-K, M3UT-4GMJACN9-K, M3UT-4GMJACPC-K, M3UT-4GMSBC0E-P, M3UT-4GMSBCN9-P, M3UT-4GMSBCPC-P, M3UT-4GMJAL0E-K, M3UT-4GMJALN9-K, M3UT-4GMJALPC-K, M3UT-4GMSBL0E-P, M3UT-4GMSBLN9-P, M3UT-4GMSBLPC-P
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate1866 1.35v
Kapazität4 GB
IC BrandMicron
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NA, B
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
DIMM Datarate1600, DDR3-1333, Original specification
CL9, 11, 13
Die VersionK, P
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (2 GB), 7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
Stromversorgung Eingangsspannung
12 Standardvarianten

Innodisk, M3UT-4GMJAC0E-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version K
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GMJACN9-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version K
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GMJACPC-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version K
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GMJAL0E-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 13
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version K
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GMJALN9-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version K
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GMJALPC-K, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version K
PCB S/N A
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GMSBC0E-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GMSBCN9-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GMSBCPC-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GMSBL0E-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GMSBLN9-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GMSBLPC-P, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version P
PCB S/N B
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V