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SKU / ArtikelnummerDDR3-M3UT-8GM3UT-8GSSA40E-E, M3UT-8GSSA4N9-E, M3UT-8GSSA4PC-E, M3UT-8GSSA50E-E, M3UT-8GSSA5N9-E, M3UT-8GSSA5PC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate1866 1.35v
Kapazität8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization512Mx8
PCB S/NA
GradeLow Voltage Wide Temperature -40~+85°C, Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate1600, DDR3-1333, Original specification
CL9, 11, 13
Die VersionE, P
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeLänge133 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
Die Version
Stromversorgung Eingangsspannung
6 Standardvarianten

Innodisk, M3UT-8GSSA40E-E, -
System Speicher CL 13
IC Brand Samsung
Grade Low Voltage Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate Original specification
Die Version E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-8GSSA4N9-E, -
System Speicher CL 9
IC Brand Samsung
Grade Low Voltage Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-8GSSA4PC-E, -
System Speicher CL 11
IC Brand Samsung
Grade Low Voltage Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 1600
Die Version E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-8GSSA50E-E, -
System Speicher CL 13
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate Original specification
Die Version E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-8GSSA5N9-E, -
System Speicher CL 9
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-8GSSA5PC-E, -
System Speicher CL 11
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 1600
Die Version E
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V