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SKU / ArtikelnummerDDR3-M3UT-8GSSGM3UT-8GSSGCM7-E, M3UT-8GSSGCN9-E, M3UT-8GSSGCPC-E, M3UT-8GSSGLM7-E, M3UT-8GSSGLN9-E, M3UT-8GSSGLPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate1866 1.35v
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/NG
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
DIMM Datarate1600, DDR3-1066, DDR3-1333
CL7, 9, 11
Die VersionE
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
Grade
DIMM Datarate
Stromversorgung Eingangsspannung
6 Standardvarianten

Innodisk, M3UT-8GSSGCM7-E, -
System Speicher CL 7
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1066
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-8GSSGCN9-E, -
System Speicher CL 9
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-8GSSGCPC-E, -
System Speicher CL 11
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-8GSSGLM7-E, -
System Speicher CL 7
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1066
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-8GSSGLN9-E, -
System Speicher CL 9
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-8GSSGLPC-E, -
System Speicher CL 11
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V