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M4S0
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB], [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8], [2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200], 1.2V
(SKUs: M4S0-4GMSNIRG, M4S0-4GMSNISJ, M4S0-4GSSN5EM, M4S0-4GSSN5IK, M4S0-4GSSN5RG, M4S0-4GSSN5SJ, M4S0-4GSSN5UN, M4S0-4GSSNIEM, M4S0-4GSSNIIK, M4S0-4GSSNIRG, M4S0-4GSSNISJ, M4S0-4GSSNIUN, M4S0-8GM1NISJ, M4S0-8GMSOIRG, M4S0-8GMSOISJ, M4S0-8GS1N5EM, M4S0-8GS1N5IK, M4S0-8GS1N5RG, M4S0-8GS1N5SJ, M4S0-8GS1N5UN, M4S0-8GSSO5IK, M4S0-8GSSO5RG, M4S0-8GSSO5SJ, M4S0-8GSSOIRG, M4S0-8GSSOISJ, M4S0-AGM1OIRG, M4S0-AGM1OISJ, M4S0-AGS1O5EM, M4S0-AGS1O5IK, M4S0-AGS1O5RG, M4S0-AGS1O5SJ, M4S0-AGS1O5UN, M4S0-AGS1OIEM, M4S0-AGS1OIIK, M4S0-AGS1OIRG, M4S0-AGS1OISJ, M4S0-AGS1OIUN, M4S0-BGS2O5EM, M4S0-BGS2O5IK, M4S0-BGS2O5UN)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Wide Temperature > SO-DIMM > DDR4 WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4 WT-M4S0M4S0-4GMSNIRG, M4S0-4GMSNISJ, M4S0-4GSSN5EM, M4S0-4GSSN5IK, M4S0-4GSSN5RG, M4S0-4GSSN5SJ, M4S0-4GSSN5UN, M4S0-4GSSNIEM, M4S0-4GSSNIIK, M4S0-4GSSNIRG, M4S0-4GSSNISJ, M4S0-4GSSNIUN, M4S0-8GM1NISJ, M4S0-8GMSOIRG, M4S0-8GMSOISJ, M4S0-8GS1N5EM, M4S0-8GS1N5IK, M4S0-8GS1N5RG, M4S0-8GS1N5SJ, M4S0-8GS1N5UN, M4S0-8GSSO5IK, M4S0-8GSSO5RG, M4S0-8GSSO5SJ, M4S0-8GSSOIRG, M4S0-8GSSOISJ, M4S0-AGM1OIRG, M4S0-AGM1OISJ, M4S0-AGS1O5EM, M4S0-AGS1O5IK, M4S0-AGS1O5RG, M4S0-AGS1O5SJ, M4S0-AGS1O5UN, M4S0-AGS1OIEM, M4S0-AGS1OIIK, M4S0-AGS1OIRG, M4S0-AGS1OISJ, M4S0-AGS1OIUN, M4S0-BGS2O5EM, M4S0-BGS2O5IK, M4S0-BGS2O5UN
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
PCB S/NN, O
GradeWide Temperature -40~+85°C
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133, 2400, 2666, 2933, 3200
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich-40°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher Kapazität
CL
IC Organization
Bestückung
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
PCB S/N
40 Standardvarianten

Innodisk M4S0-4GMSNIRG (EOL)

Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N N

Innodisk M4S0-4GMSNISJ (EOL)

Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 22
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 21
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N N

Innodisk M4S0-8GMSOIRG (EOL)

Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N O

Innodisk M4S0-8GMSOISJ (EOL)

Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 19
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N N
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 19
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 22
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 19
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 21
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 22
IC Organization 2Gx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 3200
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 19
IC Organization 2Gx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
PCB S/N O
Innodisk SO-DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 21
IC Organization 2Gx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2933
PCB S/N O