Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4BI-4GS1NCSJ-C
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM Type32bit Unbuffered SO-DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8
PCB S/NN
GradeCommercial
DIMM Datarate2400
CL17
Die VersionC
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa