Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4D0-AGS1QWM4D0-AGS1QWIK, M4D0-AGS1QWRG, M4D0-AGS1QWSJ
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität16 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8
PCB S/NQ
GradeWide Temperature
DIMM Datarate2133, 2400, 2666
CL15, 17, 19
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
tREFI Parameter 2Average Periodic Refresh Interval3.9 µS (4 GB)
Temperaturbereich85°C~95°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
DIMM Datarate
3 Standardvarianten

Innodisk, M4D0-AGS1QWIK, -
System Speicher CL 19
DIMM Datarate 2666
Innodisk, M4D0-AGS1QWRG, -
System Speicher CL 15
DIMM Datarate 2133
Innodisk, M4D0-AGS1QWSJ, -
System Speicher CL 17
DIMM Datarate 2400