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SKU / ArtikelnummerDDR4-M4R0-8M4R0-8GS1A5IK, M4R0-8GS1A5RG, M4R0-8GS1A5SJ, M4R0-8GSSB5IK, M4R0-8GSSB5RG, M4R0-8GSSB5SJ
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/NA, B
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133, 2400, 2666
CL15, 17, 19
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB), 7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe31 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
DIMM Datarate
PCB S/N
6 Standardvarianten

Innodisk, M4R0-8GS1A5IK, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 19
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate 2666
PCB S/N A
Innodisk, M4R0-8GS1A5RG, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate 2133
PCB S/N A
Innodisk, M4R0-8GS1A5SJ, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate 2400
PCB S/N A
Innodisk, M4R0-8GSSB5IK, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 19
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate 2666
PCB S/N B
Innodisk, M4R0-8GSSB5RG, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate 2133
PCB S/N B
Innodisk, M4R0-8GSSB5SJ, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate 2400
PCB S/N B