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SKU / ArtikelnummerDDR4-M4RS-8GSM4RS-8GS1CC0J-B, M4RS-8GS1CCRG-B, M4RS-8GSSDC0J-E, M4RS-8GSSDCRG-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeRegistered DIMM
IC Data Rate2400
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/NC, D
GradeCommercial
DIMM Datarate2133, Original specification
CL15, 17
Die VersionB, E
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB), 7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
4 Standardvarianten

Innodisk, M4RS-8GS1CC0J-B, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate Original specification
Die Version B
PCB S/N C
Innodisk, M4RS-8GS1CCRG-B, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate 2133
Die Version B
PCB S/N C
Innodisk, M4RS-8GSSDC0J-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate Original specification
Die Version E
PCB S/N D
Innodisk, M4RS-8GSSDCRG-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate 2133
Die Version E
PCB S/N D