Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4SE-AGS1OCM4SE-AGS1OC0M-C, M4SE-AGS1OCUN-C
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate3200
Kapazität16 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8
PCB S/NO
GradeCommercial
DIMM Datarate2933, Original specification
CL21, 22
Die VersionC
ECCwird nicht unterstützt
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
DIMM Datarate
2 Standardvarianten

Innodisk, M4SE-AGS1OC0M-C, -
System Speicher CL 22
DIMM Datarate Original specification
Innodisk, M4SE-AGS1OCUN-C, -
System Speicher CL 21
DIMM Datarate 2933