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SKU / ArtikelnummerDDR4-M4SI-8M4SI-8GS1NI0K-C, M4SI-8GS1NIRG-C, M4SI-8GS1NISJ-C, M4SI-8GSSOI0K-F, M4SI-8GSSOIRG-F, M4SI-8GSSOISJ-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/NN, O
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2133, 2400, Original specification
CL15, 17, 19
Die VersionC, F
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB), 7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
6 Standardvarianten

Innodisk, M4SI-8GS1NI0K-C, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 19
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate Original specification
Die Version C
PCB S/N N
Innodisk, M4SI-8GS1NIRG-C, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate 2133
Die Version C
PCB S/N N
Innodisk, M4SI-8GS1NISJ-C, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
DIMM Datarate 2400
Die Version C
PCB S/N N
Innodisk, M4SI-8GSSOI0K-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 19
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate Original specification
Die Version F
PCB S/N O
Innodisk, M4SI-8GSSOIRG-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate 2133
Die Version F
PCB S/N O
Innodisk, M4SI-8GSSOISJ-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
DIMM Datarate 2400
Die Version F
PCB S/N O