Innodisk M4SS

DDR4

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4 mit 4 GB
[512Mx8 | 512Mx16]
[2133 | 2400]
1.2V

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PRODUKTPREIS

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Basismodul: Innodisk M4SS

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4SSM4SS-4GSSNC0J-E, M4SS-4GSSNCRG-E, M4SS-4GSSNC0J-B, M4SS-4GSXZC0J-B
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate2400
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8, 512Mx16
PCB S/NN, Z
GradeCommercial
CL15, 17
DIMM Datarate2133, 2400
Die Version-, B, E
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa