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Innodisk M4UI-8G
DIMM, DDR4 mit [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB], [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8], [2133 | 2400 | 2666], 1.2V
(SKUs: M4UI-4GSSVC0K-F, M4UI-4GSSVCRG-F, M4UI-4GSSVCSJ-F, M4UI-8GS1VC0K-C, M4UI-8GSSWC0K-F, M4UI-8GSSWCRG-F, M4UI-8GSSWCSJ-F, M4UI-AGS1WC0K-C, M4UI-AGS1WCRG-C, M4UI-AGS1WCSJ-C, M4UI-BGS2WC0K-A)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Embedded > LONG DIMM VLP > DDR4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4UI-8GM4UI-8GS1VC0K-C, M4UI-8GSSWC0K-F, M4UI-8GSSWCRG-F, M4UI-8GSSWCSJ-F, M4UI-4GSSVC0K-F, M4UI-4GSSVCRG-F, M4UI-4GSSVCSJ-F, M4UI-AGS1WC0K-C, M4UI-AGS1WCRG-C, M4UI-AGS1WCSJ-C, M4UI-BGS2WC0K-A
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
PCB S/NV, W
GradeCommercial 0° ~ 85°C
CL15, 17, 19
DIMM Datarate2133, 2400, 2666
Die Version-, A, C, F
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher Kapazität
CL
IC Organization
Bestückung
IC Brand
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
11 Standardvarianten

DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2666
Die Version F
PCB S/N V
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2133
Die Version F
PCB S/N V
DIMM, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2400
Die Version F
PCB S/N V
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 19
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N V
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2666
Die Version F
PCB S/N W
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2133
Die Version F
PCB S/N W
DIMM, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2400
Die Version F
PCB S/N W
DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 19
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N W
DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2133
Die Version C
PCB S/N W
DIMM, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2400
Die Version C
PCB S/N W
DIMM, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 19
IC Organization 2Gx8
Bestückung Dual-Rank
IC Brand Samsung
DIMM Datarate 2666
Die Version A
PCB S/N W