Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4UI-8GM4UI-8GS1VC0K-C, M4UI-8GSSWC0K-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/NV, W
GradeCommercial
DIMM DatarateOriginal specification
CL19
Die VersionC, F
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB), 7.8 µS (8 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
IC Organization
Bestückung
Die Version
PCB S/N
2 Standardvarianten

Innodisk, M4UI-8GS1VC0K-C, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (8 GB)
IC Organization 1Gx8
Bestückung Single-Rank
Die Version C
PCB S/N V
Innodisk, M4UI-8GSSWC0K-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
IC Organization 512Mx8
Bestückung Dual-Rank
Die Version F
PCB S/N W