Innodisk M.2 (P80) 3TG6-P

DGM28-01TDC1ECAEF, DGM28-02TDC1GCAEF, DGM28-64GDC1ECADF, DGM28-A28DC1ECAQF, DGM28-B56DC1ECAEF, DGM28-C12DC1ECAEF

M.2

PRODUKT-FEATURES

M.2 (S80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3
3TG6-P
0° bis 70°C

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATION

Basismodul: Innodisk M.2 (P80) 3TG6-P

Allgemein
SKU / ArtikelnummerFL-M.2 (P80) 3TG6-PDGM28-01TDC1ECAEF, DGM28-02TDC1GCAEF, DGM28-64GDC1ECADF, DGM28-A28DC1ECAQF, DGM28-B56DC1ECAEF, DGM28-C12DC1ECAEF
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
Flash Speichermedien
Serie3TG6-P
Anschluss (Interface)PCI Express Gen. 3
Flash AufbauM.2 (NGFF)
Flash Type3D TLC
ChipgehäuseBGA (Ball Grid Array) A
Schreib-/Löschzyklen (P/E Limit)3000
Kapazität1 TB, 2 TB, 64 GB, 128 GB, 256 GB, 512 GB
ControllerID302
Channel2, 4, 8
Maximale Stromaufnahme2,63 W
PerformanceFlash ChipKioxia (Toshiba)
MessmittelCrystalDiskMark 5.1.2
Sequentielles Lesen1.600 MB/s, 2.400 MB/s, 2.700 MB/s, 3.200 MB/s, 400 MB/s, 700 MB/s
Sequentielles Schreiben1.100 MB/s, 1.200 MB/s, 80 MB/s, 160 MB/s, 320 MB/s, 650 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen24000 IOPS, 47000 IOPS, 87000 IOPS, 100000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben20000 IOPS, 42000 IOPS, 78000 IOPS, 82000 IOPS
WärmesensorJa
TRIMwird unterstützt
Externer DRAM Bufferwird unterstützt
Flash Mode96 Layers 3D Flash, Kioxia (Toshiba) 3D TLC
ATA SecurityJa
S.M.A.R.TJa
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 70°C
Lagerung-55° bis 95°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorM.2 (S80)
Typ2280
Länge80 mm
Breite22 mm
Höhe4 mm
VibrationVibration20G, 7-2000Hz, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-6
SchockMessdaten1500G, 0.5 ms, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-27
Gewicht8 g
MTBFMTBF 25°C3.000.000 h
BerechnungsmodellTelcordia SR-332
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
FCCClass BJa
Weitere Zertifikate / KonformitätenEN 55022
RoHS konformJa