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FL-M.2(P80) 3ME2
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C | 0° bis 70°C

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > Flash Speichermedien > M.2

Allgemein
SKU / ArtikelnummerFL-M.2(P80) 3ME2DEM28-32GM61BCADC, DEM28-32GM61BCADCP, DEM28-32GM61BWADC, DEM28-32GM61BWADCP, DEM28-64GM61BCAQC, DEM28-64GM61BCAQCP, DEM28-64GM61BWAQC, DEM28-64GM61BWAQCP, DEM28-A28M61BCAQC, DEM28-A28M61BCAQCP, DEM28-A28M61BWAQC, DEM28-A28M61BWAQCP, DEM28-B56M61BCAQC, DEM28-B56M61BCAQCP, DEM28-B56M61BWAQC, DEM28-B56M61BWAQCP, DEM28-C12M61BCAQC, DEM28-C12M61BCAQCP, DEM28-C12M61BWAQC, DEM28-C12M61BWAQCP
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
Flash Speichermedien
Serie3ME2
Anschluss (Interface)PCI Express Gen. 3
Flash AufbauM.2 (NGFF)
Flash TypeMLC
ChipgehäuseBGA (Ball Grid Array) A
Schreib-/Löschzyklen (P/E Limit)3000
Kapazität32 GB, 64 GB, 128 GB, 256 GB, 512 GB
Controller88NV1160
Channel2, 4
Maximale Stromaufnahme3,72 W
iCell-, wird unterstützt
PerformanceFlash ChipToshiba (15 nm)
MessmittelCrystalDiskMark 5.1.2
Sequentielles Lesen1.200 MB/s, 1.300 MB/s, 13.000 MB/s, 450 MB/s, 890 MB/s
Sequentielles Schreiben50 MB/s, 100 MB/s, 190 MB/s, 340 MB/s, 480 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen18000 IOPS, 36000 IOPS, 47000 IOPS, 51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben12000 IOPS, 22000 IOPS, 29000 IOPS, 47000 IOPS, 50000 IOPS
WärmesensorJa
TRIMwird unterstützt
Flash ModeSynchron NAND (Toshiba 15 nm)
S.M.A.R.TJa
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 70°C, -40° bis 85°C
Lagerung-55° bis 95°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorM.2 (P80)
Typ2280
Länge80 mm
Breite22 mm
Höhe4 mm
VibrationVibration20G, 7-2000Hz, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-6
SchockMessdaten1500G, 0.5 ms, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-27
Gewicht7 g
MTBFMTBF 25°C3.000.000 h
BerechnungsmodellTelcordia SR - 332 GB
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
FCCClass BJa
Weitere Zertifikate / KonformitätenEN 55024, EN 55032, EN 61000-3-2, EN 61000-3-3, EN 61000-4-2 (ESD), EN 61000-4-3, EN 61000-4-4 (EFT), EN 61000-4-5 (2 kV Surge protection), EN 61000-4-6, EN 61000-4-8, EN 61000-4-11
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb
Flash Speichermedien Kapazität
Channel
iCell
Performance Sequentielles Lesen
Sequentielles Schreiben
4KB Random (QD32) Lesen
4KB Random (QD32) Schreiben
20 Standardvarianten

Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 32 GB
Channel 2
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 450 MB/s
Sequentielles Schreiben 50 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 18000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 12000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 32 GB
Channel 2
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 450 MB/s
Sequentielles Schreiben 50 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 18000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 12000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 32 GB
Channel 2
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 450 MB/s
Sequentielles Schreiben 50 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 18000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 12000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 32 GB
Channel 2
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 450 MB/s
Sequentielles Schreiben 50 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 18000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 12000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 64 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 890 MB/s
Sequentielles Schreiben 100 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 36000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 22000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 64 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 890 MB/s
Sequentielles Schreiben 100 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 36000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 22000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 64 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 890 MB/s
Sequentielles Schreiben 100 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 36000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 22000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 64 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 890 MB/s
Sequentielles Schreiben 100 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 36000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 22000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 13.000 MB/s
Sequentielles Schreiben 190 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 47000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 29000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 13.000 MB/s
Sequentielles Schreiben 190 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 47000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 29000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 13.000 MB/s
Sequentielles Schreiben 190 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 47000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 29000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 13.000 MB/s
Sequentielles Schreiben 190 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 47000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 29000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.300 MB/s
Sequentielles Schreiben 340 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 47000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.300 MB/s
Sequentielles Schreiben 340 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 47000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.300 MB/s
Sequentielles Schreiben 340 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 47000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.300 MB/s
Sequentielles Schreiben 340 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 47000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.200 MB/s
Sequentielles Schreiben 480 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 50000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.200 MB/s
Sequentielles Schreiben 480 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 50000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.200 MB/s
Sequentielles Schreiben 480 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 50000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3ME2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.200 MB/s
Sequentielles Schreiben 480 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 51000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 50000 IOPS