Logo Innodisk
M.2(P80) 3TE2
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C | 0° bis 70°C

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > Flash Speichermedien > M.2

Allgemein
SKU / ArtikelnummerFL-M.2(P80) 3TE2DEM28-01TM61ECAQF, DEM28-01TM61EWAQF, DEM28-64GM61ECADF, DEM28-64GM61EWADF, DEM28-A28M61ECAQF, DEM28-A28M61EWAQF, DEM28-B56M61ECAQF, DEM28-B56M61EWAQF, DEM28-C12M61ECAQF, DEM28-C12M61EWAQF, DEM28-01TM61ECAQFP, DEM28-01TM61EWAQFP, DEM28-64GM61ECADFP, DEM28-64GM61EWADFP, DEM28-A28M61ECAQFP, DEM28-A28M61EWAQFP, DEM28-B56M61ECAQFP, DEM28-B56M61EWAQFP, DEM28-C12M61ECAQFP, DEM28-C12M61EWAQFP
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
Flash Speichermedien
Serie3TE2
Anschluss (Interface)PCI Express Gen. 3
Flash AufbauM.2 (NGFF)
Flash Type3D TLC
ChipgehäuseBGA (Ball Grid Array) A
Schreib-/Löschzyklen (P/E Limit)3000
Kapazität1 TB, 64 GB, 128 GB, 256 GB, 512 GB
Controller88NV1160
Channel2, 4
Maximale Stromaufnahme3 W
iCell-, wird unterstützt
PerformanceFlash ChipKioxia (Toshiba)
MessmittelCrystalDiskMark 5.1.2
Sequentielles Lesen1.000 MB/s, 1.250 MB/s, 1.300 MB/s, 1.400 MB/s, 400 MB/s
Sequentielles Schreiben180 MB/s, 400 MB/s, 600 MB/s, 650 MB/s, 700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen19000 IOPS, 38000 IOPS, 50000 IOPS, 55000 IOPS, 58000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben7000 IOPS, 60000 IOPS, 62000 IOPS, 65000 IOPS, 66000 IOPS
WärmesensorJa
TRIMwird unterstützt
Flash ModeKioxia (Toshiba) BiCS 3
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 70°C, -40° bis 85°C
Lagerung-55° bis 95°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorM.2 (P80)
Typ2280
Länge80 mm
Breite22 mm
Höhe4 mm
VibrationVibration20G, 7-2000Hz, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-6
SchockMessdaten1500G, 0.5 ms, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-27
Gewicht7 g
MTBFMTBF 25°C3.000.000 h
BerechnungsmodellTelcordia SR - 332 GB
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
FCCClass BJa
Weitere Zertifikate / KonformitätenEN 55032, EN 61000-3-2, EN 61000-3-3, EN 61000-4-2 (ESD), EN 61000-4-3, EN 61000-4-4 (EFT), EN 61000-4-5 (2 kV Surge protection), EN 61000-4-6, EN 61000-4-8, EN 61000-4-11
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb
Flash Speichermedien Kapazität
Channel
iCell
Performance Sequentielles Lesen
Sequentielles Schreiben
4KB Random (QD32) Lesen
4KB Random (QD32) Schreiben
20 Standardvarianten

Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 1 TB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.250 MB/s
Sequentielles Schreiben 600 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 50000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 62000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 1 TB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.250 MB/s
Sequentielles Schreiben 600 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 50000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 62000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 1 TB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.250 MB/s
Sequentielles Schreiben 600 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 50000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 62000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 1 TB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.250 MB/s
Sequentielles Schreiben 600 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 50000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 62000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 64 GB
Channel 2
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 400 MB/s
Sequentielles Schreiben 180 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 19000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 7000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 64 GB
Channel 2
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 400 MB/s
Sequentielles Schreiben 180 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 19000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 7000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 64 GB
Channel 2
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 400 MB/s
Sequentielles Schreiben 180 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 19000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 7000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 64 GB
Channel 2
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 400 MB/s
Sequentielles Schreiben 180 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 19000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 7000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.000 MB/s
Sequentielles Schreiben 400 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 38000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 60000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.000 MB/s
Sequentielles Schreiben 400 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 38000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 60000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.000 MB/s
Sequentielles Schreiben 400 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 38000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 60000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.000 MB/s
Sequentielles Schreiben 400 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 38000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 60000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.400 MB/s
Sequentielles Schreiben 700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 55000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 65000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.400 MB/s
Sequentielles Schreiben 700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 55000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 65000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.400 MB/s
Sequentielles Schreiben 700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 55000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 65000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.400 MB/s
Sequentielles Schreiben 700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 55000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 65000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.300 MB/s
Sequentielles Schreiben 650 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 58000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 66000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, 0° bis 70°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.300 MB/s
Sequentielles Schreiben 650 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 58000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 66000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 4
iCell -
Performance Sequentielles Lesen 1.300 MB/s
Sequentielles Schreiben 650 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 58000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 66000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE2, -40° bis 85°C
Mechanik / Umgebung Temperatur Betrieb -40° bis 85°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 4
iCell wird unterstützt
Performance Sequentielles Lesen 1.300 MB/s
Sequentielles Schreiben 650 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 58000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 66000 IOPS