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M.2(P80) 3TE4
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > Flash Speichermedien > M.2

Allgemein
SKU / ArtikelnummerFL-M.2(P80) 3TE4DEM28-01TDB1ECAQH, DEM28-A28DB1ECADH, DEM28-B56DB1ECAQH, DEM28-C12DB1ECAQH
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
Flash Speichermedien
Serie3TE4
Anschluss (Interface)PCI Express Gen. 3
Flash AufbauM.2 (NGFF)
Flash Type3D TLC
ChipgehäuseBGA (Ball Grid Array) A
Schreib-/Löschzyklen (P/E Limit)10000
Kapazität1 TB, 128 GB, 256 GB, 512 GB
ControllerID206 PCIe3.0x4
Channel2, 4
Maximale Stromaufnahme3 W
PerformanceFlash ChipMicron
MessmittelCrystalDiskMark 6.0.2
Sequentielles Lesen1.900 MB/s, 2.100 MB/s, 970 MB/s
Sequentielles Schreiben1.000 MB/s, 1.500 MB/s, 1.700 MB/s, 520 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen53000 IOPS, 100000 IOPS, 158000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben123000 IOPS, 130000 IOPS, 133000 IOPS, 135000 IOPS
WärmesensorJa
Flash Mode3D NAND
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 70°C
Lagerung-55° bis 95°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorM.2 (P80)
Typ2280
Länge80 mm
Breite22 mm
Höhe4 mm
VibrationVibration20G, 7-2000Hz, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-6
SchockMessdaten1500G, 0.5 ms, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-27
MTBFMTBF 25°C3.000.000 h
BerechnungsmodellTelcordia SR - 332 GB
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
FCCClass BJa
Weitere Zertifikate / KonformitätenEN 55024, EN 55032, EN 61000-3-2, EN 61000-3-3, EN 61000-4-2 (ESD), EN 61000-4-3, EN 61000-4-4 (EFT), EN 61000-4-5 (2 kV Surge protection), EN 61000-4-6, EN 61000-4-8, EN 61000-4-11
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

Flash Speichermedien Kapazität
Channel
Performance Sequentielles Lesen
Sequentielles Schreiben
4KB Random (QD32) Lesen
4KB Random (QD32) Schreiben
4 Standardvarianten

Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 1 TB
Channel 4
Performance Sequentielles Lesen 2.100 MB/s
Sequentielles Schreiben 1.700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 158000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 135000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 2
Performance Sequentielles Lesen 970 MB/s
Sequentielles Schreiben 520 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 53000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 123000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
Performance Sequentielles Lesen 1.900 MB/s
Sequentielles Schreiben 1.000 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 100000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 130000 IOPS
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TE4, 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 4
Performance Sequentielles Lesen 2.100 MB/s
Sequentielles Schreiben 1.500 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 158000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 133000 IOPS