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FL-M.2(P80) 3TG3-P
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TG3-P, 0° bis 70°C

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > Flash Speichermedien > M.2

Allgemein
SKU / ArtikelnummerFL-M.2(P80) 3TG3-PDGM28-01TDA1ECAEH, DGM28-02TDA1ECAEH, DGM28-A28DA1ECAQH, DGM28-B56DA1ECAQH, DGM28-C12DA1ECAEH
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
Flash Speichermedien
Serie3TG3-P
Anschluss (Interface)PCI Express Gen. 3
Flash AufbauM.2 (NGFF)
Flash Type3D TLC
ChipgehäuseBGA (Ball Grid Array) A, BGA (Ball Grid Array) B
Schreib-/Löschzyklen (P/E Limit)10000
Kapazität1.024 GB, 2.048 GB, 128 GB, 256 GB, 512 GB
ControllerID206 PCIe3.0x4
Channel4, 8
Maximale Stromaufnahme6 W
PerformanceFlash ChipMicron
MessmittelCrystalDiskMark 6.0.2
Sequentielles Lesen1.900 MB/s, 3.200 MB/s, 3.300 MB/s, 950 MB/s
Sequentielles Schreiben1.000 MB/s, 2.100 MB/s, 2.700 MB/s, 2.800 MB/s, 500 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen50000 IOPS, 100000 IOPS, 150000 IOPS, 170000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben128000 IOPS, 130000 IOPS, 140000 IOPS
WärmesensorJa
Externer DRAM Bufferwird unterstützt
Flash Mode3D NAND
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 70°C
Lagerung-55° bis 95°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorM.2 (P80)
Typ2280
Länge80 mm
Breite22 mm
Höhe4 mm
VibrationVibration20G, 7-2000Hz, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-6
SchockMessdaten1500G, 0.5 ms, 3 Axen
Referenz StandardIEC 68-2-27
MTBFMTBF 25°C3.000.000 h
BerechnungsmodellTelcordia SR - 332 GB
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
FCCClass BJa
Weitere Zertifikate / KonformitätenEN 55024, EN 55032, EN 61000-3-2, EN 61000-3-3, EN 61000-4-2 (ESD), EN 61000-4-3, EN 61000-4-4 (EFT), EN 61000-4-5 (2 kV Surge protection), EN 61000-4-6, EN 61000-4-8, EN 61000-4-11
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

Flash Speichermedien Kapazität
Channel
Performance Sequentielles Lesen
Sequentielles Schreiben
4KB Random (QD32) Lesen
4KB Random (QD32) Schreiben
Chipgehäuse
5 Standardvarianten

Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TG3-P, 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 1.024 GB
Channel 8
Performance Sequentielles Lesen 3.200 MB/s
Sequentielles Schreiben 2.700 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 170000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 130000 IOPS
Chipgehäuse BGA (Ball Grid Array) A
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TG3-P, 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 2.048 GB
Channel 8
Performance Sequentielles Lesen 3.300 MB/s
Sequentielles Schreiben 2.800 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 170000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 140000 IOPS
Chipgehäuse BGA (Ball Grid Array) A
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TG3-P, 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 128 GB
Channel 4
Performance Sequentielles Lesen 950 MB/s
Sequentielles Schreiben 500 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 50000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 128000 IOPS
Chipgehäuse BGA (Ball Grid Array) A
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TG3-P, 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 256 GB
Channel 4
Performance Sequentielles Lesen 1.900 MB/s
Sequentielles Schreiben 1.000 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 100000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 128000 IOPS
Chipgehäuse BGA (Ball Grid Array) A
Innodisk M.2 (P80) M.2 (NGFF) mit PCI Express Gen. 3, 3TG3-P, 0° bis 70°C
Flash Speichermedien Kapazität 512 GB
Channel 8
Performance Sequentielles Lesen 3.200 MB/s
Sequentielles Schreiben 2.100 MB/s
4KB Random (QD32) Lesen 150000 IOPS
4KB Random (QD32) Schreiben 128000 IOPS
Chipgehäuse BGA (Ball Grid Array) A