Innodisk M3UW-4

M3UW-4GSJGC0C-F, M3UW-4GSJGCM7-F, M3UW-4GSJGCN9-F, M3UW-4GSJGL0C-F, M3UW-4GSJGLM7-F, M3UW-4GSJGLN9-F, M3UW-4GSSNC0C-D, M3UW-4GSSNC0C-E, M3UW-4GSSNCM7-D, M3UW-4GSSNCM7-E, M3UW-4GSSNCN9-D, M3UW-4GSSNCN9-E, M3UW-4GSSNL0C-D, M3UW-4GSSNL0C-E, M3UW-4GSSNLM7-D, M3UW-4GSSNLM7-E, M3UW-4GSSNLN9-D, M3UW-4GSSNLN9-E

DDR3

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
4 GB
[256Mx8 | 512Mx8]
[1066 | 1333 | -]
[1.35V | 1.50V]

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3UW-4

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3UW-4M3UW-4GSJGC0C-F, M3UW-4GSJGCM7-F, M3UW-4GSJGCN9-F, M3UW-4GSJGL0C-F, M3UW-4GSJGLM7-F, M3UW-4GSJGLN9-F, M3UW-4GSSNC0C-D, M3UW-4GSSNC0C-E, M3UW-4GSSNCM7-D, M3UW-4GSSNCM7-E, M3UW-4GSSNCN9-D, M3UW-4GSSNCN9-E, M3UW-4GSSNL0C-D, M3UW-4GSSNL0C-E, M3UW-4GSSNLM7-D, M3UW-4GSSNLM7-E, M3UW-4GSSNLN9-D, M3UW-4GSSNLN9-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data RateDDR3-1600 1.35V
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NG, N
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
CL7, 9, 11
DIMM DatarateDDR3-1066, DDR3-1333, Original specification
Die VersionD, E, F
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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