Innodisk M3S0 DDR3 VLP

M3S0-2GMJECN9, M3S0-2GMJECPC, M3S0-4GMJUCN9, M3S0-4GMJUCPC, M3S0-4GMJUCQE, M3S0-4GMSECN9, M3S0-4GMSECPC, M3S0-4GSSECN9, M3S0-4GSSECPC, M3S0-8GMSUCN9, M3S0-8GMSUCPC, M3S0-8GMSUCQE, M3S0-8GSSUCN9, M3S0-8GSSUCPC, M3S0-8GSSUCQE

DDR3 ULP/VLP

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR3
[2 GB | 4 GB | 8 GB]
[256Mx8 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1333]
1.50V

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Basismodul: Innodisk M3S0 DDR3 VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3S0 DDR3 VLPM3S0-4GMJUCN9, M3S0-4GMJUCPC, M3S0-4GMJUCQE, M3S0-4GMSECN9, M3S0-4GMSECPC, M3S0-4GSSECN9, M3S0-4GSSECPC, M3S0-2GMJECN9, M3S0-2GMJECPC, M3S0-8GMSUCN9, M3S0-8GMSUCPC, M3S0-8GMSUCQE, M3S0-8GSSUCN9, M3S0-8GSSUCPC, M3S0-8GSSUCQE
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
GradeCommercial
CL9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1333
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe67,6 mm
Höhe25,4 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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