Innodisk M4D0 VLP

M4D0-4GSSICEM, M4D0-4GSSICIK, M4D0-4GSSICRG, M4D0-4GSSICSJ, M4D0-4GSSICUN, M4D0-8GS1I5EM, M4D0-8GS1I5UN, M4D0-8GS1ICEM, M4D0-8GS1ICIK, M4D0-8GS1ICSJ, M4D0-8GS1ICUN

DDR4 VLP

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4
ECC
[4 GB | 8 GB]
[1Gx8 | 512Mx8]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4D0 VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4D0 VLPM4D0-8GS1I5EM, M4D0-8GS1I5UN, M4D0-4GSSICEM, M4D0-4GSSICIK, M4D0-4GSSICRG, M4D0-4GSSICSJ, M4D0-4GSSICUN, M4D0-8GS1ICEM, M4D0-8GS1ICIK, M4D0-8GS1ICSJ, M4D0-8GS1ICUN
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität4 GB, 8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/NI
GradeCommercial, Wide Temperature
CL15, 17, 19, 21, 22
Frequenz1866 / 2133 MHz, 2400 MHz, 2666 MHz, 2933 MHz, 3200 MHz
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C, -40° bis 85°C (sorting wide)
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe69,6 mm
Höhe17,78 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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