Innodisk M4SE DDR4 VLP

M4SE-4GSS3C0M-G, M4SE-4GSS3CIK-G, M4SE-4GSS3CSJ-G, M4SE-4GSS3CUN-G, M4SE-8GS13C0M-C, M4SE-8GS13C0M-G, M4SE-8GS13CIK-G, M4SE-8GS13CSJ-G, M4SE-8GS13CUN-C, M4SE-8GS13CUN-G

DDR4 VLP

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4
[4 GB | 8 GB]
[1Gx8 | 512Mx8]
[2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M4SE DDR4 VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4SE DDR4 VLPM4SE-8GS13C0M-C, M4SE-8GS13CUN-C, M4SE-8GS13C0M-G, M4SE-8GS13CUN-G, M4SE-8GS13CIK-G, M4SE-8GS13CSJ-G, M4SE-4GSS3CIK-G, M4SE-4GSS3CSJ-G, M4SE-4GSS3C0M-G, M4SE-4GSS3CUN-G
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/N3
GradeCommercial
CL17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2400, 2666, 2933, 3200
Die VersionC, G
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe18 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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