Innodisk M4SS

M4SS-4GSS3C0J-E, M4SS-8GS13C0J-B

DDR4 VLP

Produkt ist EOL (End Of Life)!

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4
[4 GB | 8 GB]
[1Gx8 | 512Mx8]
2400
1.2V

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Basismodul: Innodisk M4SS

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4 VLP-M4SSM4SS-4GSS3C0J-E, M4SS-8GS13C0J-B
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate2400
Kapazität4 GB, 8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
PCB S/N3
GradeCommercial 0° ~ 85°C
CL17
DIMM Datarate2400
Die VersionB, E
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe70 mm
Höhe18 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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