Innodisk M4D0-2GSVPCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-2GSVPCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-2GSVPCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-2GSVPCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-2GSVPCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GHSPCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSP5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-4GSSP5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-4GSSP5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-4GSSP5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-4GSSP5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-4GSSPCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSPCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSPCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSPCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSSPCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSXPCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-4GSXPCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GH1PCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GHSQCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GM1P5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GM1PCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GM1PCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1P5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GS1P5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GS1P5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GS1P5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GS1P5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GS1PCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1PCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1PCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1PCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GS1PCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQ5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GSSQ5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GSSQ5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GSSQ5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GSSQ5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-8GSSQCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSSQCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSYPCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-8GSYPCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGH1QCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGH1QCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Hynix |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGM1Q5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-AGM1QCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGM1QCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1Q5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-AGS1Q5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-AGS1Q5RG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-AGS1Q5SJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-AGS1Q5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-AGS1QCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1QCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1QCRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1QCSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS1QCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS2P5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-AGS2P5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-AGS2PCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-AGS2PCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-BGS2Q5EM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-BGS2Q5IK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-BGS2Q5UN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4D0-BGS2QCEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-BGS2QCIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4D0-BGS2QCUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |