Innodisk WT M4UE

M4UE-4GSSJI0M-F, M4UE-4GSSJIUN-F, M4UE-8GM1JI0M-R, M4UE-8GM1JIIK-R, M4UE-8GM1JIUN-R, M4UE-8GS1JI0M-C, M4UE-8GS1JIUN-C, M4UE-8GSSKI0M-F, M4UE-8GSSKIUN-F, M4UE-AGM1KI0M-R, M4UE-AGM1KIIK-R, M4UE-AGM1KIUN-R, M4UE-AGS1KI0M-C, M4UE-AGS1KIUN-C, M4UE-BGS2KI0M-A, M4UE-BGS2KIUN-A

DDR4

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR4
[4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
[2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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Basismodul: Innodisk WT M4UE

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-WT M4UEM4UE-4GSSJI0M-F, M4UE-4GSSJIUN-F, M4UE-8GS1JI0M-C, M4UE-8GS1JIUN-C, M4UE-8GSSKI0M-F, M4UE-8GSSKIUN-F, M4UE-AGS1KI0M-C, M4UE-AGS1KIUN-C, M4UE-8GM1JI0M-R, M4UE-8GM1JIIK-R, M4UE-8GM1JIUN-R, M4UE-AGM1KI0M-R, M4UE-AGM1KIIK-R, M4UE-AGM1KIUN-R, M4UE-BGS2KI0M-A, M4UE-BGS2KIUN-A
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
GradeWide Temperature
CL19, 21, 22
DIMM Datarate2666, 2933, 3200
Die VersionA, C, F, R
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (wide)
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe31,25 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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