Innodisk M4DE WT

M4DE-4GSSPW0M-F, M4DE-4GSSPWUN-F, M4DE-8GM1PW0M-R, M4DE-8GM1PWIK-R, M4DE-8GM1PWRG-E, M4DE-8GM1PWUN-R, M4DE-8GS1PW0M-C, M4DE-8GS1PWUN-C, M4DE-8GSSQW0M-F, M4DE-8GSSQWUN-F, M4DE-AGM1QW0M-R, M4DE-AGM1QWIK-R, M4DE-AGM1QWUN-R, M4DE-AGS1QW0M-C, M4DE-AGS1QWUN-C, M4DE-BGS2QW0M-A, M4DE-BGS2QWUN-A, M4DE-8GM1PWIK-E, M4DE-8GM1PWSJ-E, M4DE-AGM1QWIK-E, M4DE-AGM1QWRG-E, M4DE-AGM1QWSJ-E

DDR4 WT

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4
ECC
[4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
[2133 | 2400 | 2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M4DE WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4DE WTM4DE-8GM1PWIK-E, M4DE-8GM1PWRG-E, M4DE-8GM1PWSJ-E, M4DE-AGM1QWIK-E, M4DE-AGM1QWRG-E, M4DE-AGM1QWSJ-E, M4DE-BGS2QW0M-A, M4DE-BGS2QWUN-A, M4DE-4GSSPW0M-F, M4DE-4GSSPWUN-F, M4DE-8GSSQW0M-F, M4DE-8GSSQWUN-F, M4DE-AGS1QW0M-C, M4DE-AGS1QWUN-C, M4DE-8GS1PW0M-C, M4DE-8GS1PWUN-C, M4DE-8GM1PW0M-R, M4DE-8GM1PWIK-R, M4DE-8GM1PWUN-R, M4DE-AGM1QW0M-R, M4DE-AGM1QWIK-R, M4DE-AGM1QWUN-R
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
GradeWide Temperature
CL15, 17, 19, 21, 22
DIMM Datarate2133, 2400, 2666, 2933, 3200
Die VersionA, C, E, F, R
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (wide)
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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