Innodisk M4DI WT

M4DI-4GSSPW0K-F, M4DI-4GSSPWRG-F, M4DI-4GSSPWSJ-F, M4DI-8GS1PW0K-C, M4DI-8GS1PWRG-C, M4DI-8GS1PWSJ-C, M4DI-8GSSQW0K-F, M4DI-8GSSQWRG-F, M4DI-8GSSQWSJ-F, M4DI-AGS1QW0K-C, M4DI-AGS1QWRG-C, M4DI-AGS1QWSJ-C

DDR4 WT

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4
ECC
[4 GB | 8 GB | 16 GB]
[1Gx8 | 512Mx8]
[2133 | 2400 | 2666]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M4DI WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4DI WTM4DI-4GSSPWRG-F, M4DI-4GSSPWSJ-F, M4DI-4GSSPW0K-F, M4DI-8GSSQW0K-F, M4DI-8GSSQWRG-F, M4DI-8GSSQWSJ-F, M4DI-8GS1PW0K-C, M4DI-8GS1PWRG-C, M4DI-8GS1PWSJ-C, M4DI-AGS1QW0K-C, M4DI-AGS1QWRG-C, M4DI-AGS1QWSJ-C
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB
IC BrandSamsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
GradeWide Temperature
CL15, 17, 19
DIMM Datarate2133, 2400, 2666
Die VersionC, F
ECCwird unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich-40°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (wide)
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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