Innodisk M4SI

M4SI-4GSSNI0K-F, M4SI-4GSSNIRG-F, M4SI-4GSSNISJ-F, M4SI-8GM1NISJ-E, M4SI-8GS1NI0K-C, M4SI-8GS1NIRG-C, M4SI-8GS1NISJ-C, M4SI-8GSSOI0K-F, M4SI-8GSSOIRG-F, M4SI-8GSSOISJ-F, M4SI-AGS1OI0K-C, M4SI-AGS1OIRG-C, M4SI-AGS1OISJ-C

DDR4 WT

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR4
[4 GB | 8 GB | 16 GB]
[1Gx8 | 512Mx8]
[2133 | 2400 | 2666]
1.2V

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Basismodul: Innodisk M4SI

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4 WT-M4SIM4SI-4GSSNI0K-F, M4SI-4GSSNIRG-F, M4SI-4GSSNISJ-F, M4SI-8GS1NI0K-C, M4SI-8GS1NIRG-C, M4SI-8GS1NISJ-C, M4SI-8GSSOI0K-F, M4SI-8GSSOIRG-F, M4SI-8GSSOISJ-F, M4SI-8GM1NISJ-E, M4SI-AGS1OI0K-C, M4SI-AGS1OIRG-C, M4SI-AGS1OISJ-C
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 512Mx8
GradeWide Temperature
CL15, 17, 19
DIMM Datarate2133, 2400, 2666
Die VersionC, E, F
ECCwird nicht unterstützt
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich-40°C ~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (wide)
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung10 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Breite69,6 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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