Innodisk M3CT VLP

M3CT-2GMJ4C0E-K, M3CT-2GMJ4CN9-K, M3CT-2GMJ4CPC-K, M3CT-4GMS4C0E-P, M3CT-4GMS4CN9-P, M3CT-4GMS4CPC-P, M3CT-4GSS4C0E-E, M3CT-4GSS4CN9-E, M3CT-4GSS4CPC-E, M3CT-8GMS5C0E-P, M3CT-8GMS5CN9-P, M3CT-8GMS5CPC-P, M3CT-8GSS5C0E-E, M3CT-8GSS5CN9-E, M3CT-8GSS5CPC-E

DDR3

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
ECC
[2 GB | 4 GB | 8 GB]
[256Mx8 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1333]
1.50V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3CT VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3CT VLPM3CT-2GMJ4C0E-K, M3CT-2GMJ4CN9-K, M3CT-2GMJ4CPC-K, M3CT-4GMJ5C0E-K, M3CT-4GMJ5CN9-K, M3CT-4GMJ5CPC-K, M3CT-4GMS4C0E-P, M3CT-4GMS4CN9-P, M3CT-4GMS4CPC-P, M3CT-4GSS4C0E-E, M3CT-4GSS4CN9-E, M3CT-4GSS4CPC-E, M3CT-8GMS5C0E-P, M3CT-8GMS5CN9-P, M3CT-8GMS5CPC-P, M3CT-8GSS5C0E-E, M3CT-8GSS5CN9-E, M3CT-8GSS5CPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
GradeCommercial
CL9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1333
Die VersionE, K, P
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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