Innodisk M3U0 VLP

M3U0-2GMJNCN9, M3U0-2GMJNCPC, M3U0-2GMJNCQE, M3U0-4GMJGCM7, M3U0-4GMJGCN9, M3U0-4GMJGCPC, M3U0-4GMSNCN9, M3U0-4GMSNCPC, M3U0-4GMSNCQE, M3U0-4GSSNCN9, M3U0-4GSSNCPC, M3U0-4GSSNCQE, M3U0-8GMSGCN9, M3U0-8GMSGCPC, M3U0-8GSSGCM7, M3U0-8GSSGCN9, M3U0-8GSSGCPC

DDR3

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
[2 GB | 4 GB | 8 GB]
[256Mx8 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1066 | 1333]
1.50V

KONFIGURATION

Bitte konfigurieren Sie Ihr Wunschprodukt.
Standardkonfiguration Individualkonfiguration

PRODUKTPREIS

Für Ihre persönlichen Preis- und Lieferkonditionen bitte einloggen.

Verkauf nur an gewerbliche Kunden.
Lieferzeit: auf Anfrage

Basismodul: Innodisk M3U0 VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3U0 VLPM3U0-2GMJNCN9, M3U0-2GMJNCPC, M3U0-2GMJNCQE, M3U0-4GMJGCM7, M3U0-4GMJGCN9, M3U0-4GMJGCPC, M3U0-4GMSNCN9, M3U0-4GMSNCPC, M3U0-4GMSNCQE, M3U0-4GSSNCN9, M3U0-4GSSNCPC, M3U0-4GSSNCQE, M3U0-8GMSGCN9, M3U0-8GMSGCPC, M3U0-8GSSGCM7, M3U0-8GSSGCN9, M3U0-8GSSGCPC
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NG, N
GradeCommercial
CL7, 9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1066, DDR3-1333
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
LinkedIn Twitter Facebook