Innodisk M4UE-4GSSVC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-4GSSVCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-4GSSVCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-4GSSVCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-4GSX8C0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-4GSX8C0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-4GSX8CIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-4GSX8CSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-4GSX8CUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-4GSX8CUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 4 GB, 512Mx16, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
8 |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-8GS1V50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-8GS1V5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-8GS1V5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-8GS1V5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-8GS1VC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-8GS1VC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-8GS1VCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-8GS1VCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-8GS1VCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-8GS1VCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
V |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-8GSSW50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-8GSSW5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-8GSSW5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-8GSSW5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-8GSSWC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-8GSSWCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-8GSSWCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-8GSSWCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-AGM1W50M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-AGM1W5UN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-AGM1WC0M-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-AGM1WCUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-AGS1W50M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-AGS1W5IK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-AGS1W5RG-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-AGS1W5SJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-AGS1W5UN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-AGS1WC0M-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-AGS1WCIK-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-AGS1WCSJ-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-AGS1WCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-AGS1WCUN-G Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
G |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-BGM2WC0M-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-BGM2WCUN-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-BGS2W50M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-BGS2W5IK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-BGS2W5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-BGS2W5UN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4UE-BGS2WC0M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-BGS2WC0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-BGS2WCIK-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-BGS2WCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-BGS2WCUN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4UE-BGS2WCUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
W |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |