Innodisk M3ST DDR3L

M3ST-2GMJCL0E-K, M3ST-2GMJCLN9-K, M3ST-2GMJCLPC-K, M3ST-2GMVFL0E-P, M3ST-2GMVFLN9-P, M3ST-2GMVFLPC-P, M3ST-2GSVFL0E-E, M3ST-2GSVFLM7-E, M3ST-2GSVFLN9-E, M3ST-2GSVFLPC-E, M3ST-4GMJDL0E-K, M3ST-4GMJDLN9-K, M3ST-4GMJDLPC-K, M3ST-4GMSCL0E-P, M3ST-4GMSCLN9-P, M3ST-4GMSCLPC-P, M3ST-4GMV0L0E-P, M3ST-4GMV0LN9-P, M3ST-4GMV0LPC-P, M3ST-4GSSCL0E-E, M3ST-4GSSCLN9-E, M3ST-4GSSCLPC-E, M3ST-4GSV0L0E-E, M3ST-4GSV0LN9-E, M3ST-4GSV0LPC-E, M3ST-8GMSDL0E-P, M3ST-8GMSDLN9-P, M3ST-8GMSDLPC-P, M3ST-8GSSDL0E-E, M3ST-8GSSDLN9-E, M3ST-8GSSDLPC-E

DDR3

PRODUKT-FEATURES

SO-DIMM
DDR3
[2 GB | 4 GB | 8 GB]
[256Mx8 | 256Mx16 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1066 | 1333]
1.35V

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Basismodul: Innodisk M3ST DDR3L

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3ST DDR3LM3ST-2GMJCL0E-K, M3ST-2GMJCLN9-K, M3ST-2GMJCLPC-K, M3ST-2GMVFL0E-P, M3ST-2GMVFLN9-P, M3ST-2GMVFLPC-P, M3ST-2GSVFL0E-E, M3ST-2GSVFLM7-E, M3ST-2GSVFLN9-E, M3ST-2GSVFLPC-E, M3ST-4GMJDL0E-K, M3ST-4GMJDLN9-K, M3ST-4GMJDLPC-K, M3ST-4GMSCL0E-P, M3ST-4GMSCLN9-P, M3ST-4GMSCLPC-P, M3ST-4GMV0L0E-P, M3ST-4GMV0LN9-P, M3ST-4GMV0LPC-P, M3ST-4GSSCL0E-E, M3ST-4GSSCLN9-E, M3ST-4GSSCLPC-E, M3ST-4GSV0L0E-E, M3ST-4GSV0LN9-E, M3ST-4GSV0LPC-E, M3ST-8GMSDL0E-P, M3ST-8GMSDLN9-P, M3ST-8GMSDLPC-P, M3ST-8GSSDL0E-E, M3ST-8GSSDLN9-E, M3ST-8GSSDLPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 256Mx16, 512Mx8
GradeCommercial
CL7, 9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1066, DDR3-1333
Die VersionE, K, P
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Tiefe68 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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