Innodisk M4CE WT

M4CE-4GSSLW0M-F, M4CE-4GSSLWUN-F, M4CE-8GM1LW0M-R, M4CE-8GM1LWIK-R, M4CE-8GM1LWUN-R, M4CE-8GS1LW0M-C, M4CE-8GS1LWUN-C, M4CE-8GSSMW0M-F, M4CE-8GSSMWUN-F, M4CE-AGM1MW0M-R, M4CE-AGM1MWIK-R, M4CE-AGM1MWUN-R, M4CE-AGS1MW0M-C, M4CE-AGS1MWUN-C, M4CE-BGS2MW0M-A, M4CE-BGS2MWUN-A

DDR4

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR4
ECC
[4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB]
[1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8]
[2666 | 2933 | 3200]
1.2V

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PRODUKTINFORMATIONEN
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Basismodul: Innodisk M4CE WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM4CE WTM4CE-4GSSLW0M-F, M4CE-4GSSLWUN-F, M4CE-8GM1LW0M-R, M4CE-8GM1LWIK-R, M4CE-8GM1LWUN-R, M4CE-8GS1LW0M-C, M4CE-8GS1LWUN-C, M4CE-8GSSMW0M-F, M4CE-8GSSMWUN-F, M4CE-AGM1MW0M-R, M4CE-AGM1MWIK-R, M4CE-AGM1MWUN-R, M4CE-AGS1MW0M-C, M4CE-AGS1MWUN-C, M4CE-BGS2MW0M-A, M4CE-BGS2MWUN-A
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
PCB S/NL, M
GradeWide Temperature
CL19, 21, 22
DIMM Datarate2666, 2933, 3200
Die VersionA, C, F, R
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C (wide)
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe31 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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