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SKU / ArtikelnummerDDR3-M3CT-8GSSM3CT-8GSS340E-E, M3CT-8GSS34N9-E, M3CT-8GSS34PC-E, M3CT-8GSS350E-E, M3CT-8GSS35N9-E, M3CT-8GSS35PC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3 / DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
IC Data Rate1866 1.35v
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/N3
GradeLow Voltage Wide Temperature -40~+85°C, Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate1600, DDR3-1333, Original specification
CL9, 11, 13
Die VersionE
ECCwird unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
Grade
DIMM Datarate
Stromversorgung Eingangsspannung
6 Standardvarianten

Innodisk, M3CT-8GSS340E-E, -
System Speicher CL 13
Grade Low Voltage Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate Original specification
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3CT-8GSS34N9-E, -
System Speicher CL 9
Grade Low Voltage Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3CT-8GSS34PC-E, -
System Speicher CL 11
Grade Low Voltage Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3CT-8GSS350E-E, -
System Speicher CL 13
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate Original specification
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3CT-8GSS35N9-E, -
System Speicher CL 9
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3CT-8GSS35PC-E, -
System Speicher CL 11
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V