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SKU / ArtikelnummerDDR3-M3D0-4GSSYM3D0-4GSSYCN9, M3D0-4GSSYCPC, M3D0-4GSSYLN9, M3D0-4GSSYLPC
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau204 Pin SO-DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/NY
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
DIMM Datarate1600, DDR3-1333
CL9, 11
ECCwird unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge68 mm
Höhe18 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
Grade
DIMM Datarate
Stromversorgung Eingangsspannung
4 Standardvarianten

Innodisk, M3D0-4GSSYCN9, -
System Speicher CL 9
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3D0-4GSSYCPC, -
System Speicher CL 11
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3D0-4GSSYLN9, -
System Speicher CL 9
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3D0-4GSSYLPC, -
System Speicher CL 11
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V