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SKU / ArtikelnummerDDR3-M3UT-4GM3UT-4GSJGCM7-F, M3UT-4GSJGCN9-F, M3UT-4GSJGCPC-F, M3UT-4GSJGLM7-F, M3UT-4GSJGLN9-F, M3UT-4GSJGLPC-F, M3UT-4GSSNC0E-E, M3UT-4GSSNCN9-E, M3UT-4GSSNCPC-E, M3UT-4GSSNL0E-E, M3UT-4GSSNLN9-E, M3UT-4GSSNLPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate1866 1.35v
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NG, N
GradeCommercial, Low Voltage Commercial
DIMM Datarate1600, DDR3-1066, DDR3-1333, Original specification
CL7, 9, 11, 13
Die VersionE, F
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank, Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (2 GB), 7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V, 1.50V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval
CL
IC Organization
Bestückung
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
Stromversorgung Eingangsspannung
12 Standardvarianten

Innodisk, M3UT-4GSJGCM7-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 7
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1066
Die Version F
PCB S/N G
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GSJGCN9-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version F
PCB S/N G
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GSJGCPC-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version F
PCB S/N G
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GSJGLM7-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 7
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1066
Die Version F
PCB S/N G
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GSJGLN9-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 9
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version F
PCB S/N G
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GSJGLPC-F, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (2 GB)
CL 11
IC Organization 256Mx8
Bestückung Dual-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version F
PCB S/N G
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GSSNC0E-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version E
PCB S/N N
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GSSNCN9-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version E
PCB S/N N
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GSSNCPC-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version E
PCB S/N N
Stromversorgung Eingangsspannung 1.50V
Innodisk, M3UT-4GSSNL0E-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 13
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate Original specification
Die Version E
PCB S/N N
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GSSNLN9-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 9
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate DDR3-1333
Die Version E
PCB S/N N
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V
Innodisk, M3UT-4GSSNLPC-E, -
System Speicher tREFI Parameter 1 Average Periodic Refresh Interval 7.8 µS (4 GB)
CL 11
IC Organization 512Mx8
Bestückung Single-Rank
Grade Low Voltage Commercial
DIMM Datarate 1600
Die Version E
PCB S/N N
Stromversorgung Eingangsspannung 1.35V