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M4SI
Innodisk, DDR4 mit [4 GB | 8 GB | 16 GB | 32 GB], [1Gx8 | 2Gx8 | 512Mx8], [2133 | 2400 | 2666], 1.2V
(SKUs: M4SI-4GSSN50K-F, M4SI-4GSSN5RG-F, M4SI-4GSSN5SJ-F, M4SI-4GSSNGSJ-F, M4SI-4GSSNI0K-F, M4SI-4GSSNIRG-F, M4SI-4GSSNISJ-F, M4SI-8GM1NISJ-E, M4SI-8GS1N50K-C, M4SI-8GS1NI0K-C, M4SI-8GS1NIRG-C, M4SI-8GS1NISJ-C, M4SI-8GSSO50K-F, M4SI-8GSSO5RG-F, M4SI-8GSSO5SJ-F, M4SI-8GSSOI0K-F, M4SI-8GSSOIRG-F, M4SI-8GSSOISJ-F, M4SI-AGS1O50K-C, M4SI-AGS1O5RG-C, M4SI-AGS1O5SJ-C, M4SI-AGS1OI0K-C, M4SI-AGS1OIRG-C, M4SI-AGS1OISJ-C, M4SI-BGS2O50K-A)

Innodisk > Speicher, SSD, HDD > DRAM Module > Wide Temperature > SO-DIMM > DDR4 WT

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4 WT-M4SIM4SI-4GSSN50K-F, M4SI-4GSSN5RG-F, M4SI-4GSSN5SJ-F, M4SI-4GSSNI0K-F, M4SI-4GSSNIRG-F, M4SI-4GSSNISJ-F, M4SI-8GM1NISJ-E, M4SI-8GS1N50K-C, M4SI-8GS1NI0K-C, M4SI-8GS1NIRG-C, M4SI-8GS1NISJ-C, M4SI-8GSSO50K-F, M4SI-8GSSO5RG-F, M4SI-8GSSO5SJ-F, M4SI-8GSSOI0K-F, M4SI-8GSSOIRG-F, M4SI-8GSSOISJ-F, M4SI-AGS1O50K-C, M4SI-AGS1O5RG-C, M4SI-AGS1O5SJ-C, M4SI-AGS1OI0K-C, M4SI-AGS1OIRG-C, M4SI-AGS1OISJ-C, M4SI-BGS2O50K-A, M4SI-4GSSNGSJ-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered SO-DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization1Gx8, 2Gx8, 512Mx8
PCB S/N1, N, O
GradeLow Voltage & commercial grade IC & red color PCB, Wide Temperature -40~+85°C
CL15, 17, 19
DIMM Datarate2133, 2400, 2666
Die VersionA, C, E, F
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-55° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung10 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeLänge70 mm
Höhe30 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher Kapazität
CL
IC Organization
IC Brand
Grade
DIMM Datarate
Die Version
PCB S/N
25 Standardvarianten

Innodisk M4SI-4GSSN50K-F

Innodisk, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version F
PCB S/N N

Innodisk M4SI-4GSSN5RG-F

Innodisk, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version F
PCB S/N N

Innodisk M4SI-4GSSN5SJ-F

Innodisk, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version F
PCB S/N N

Innodisk M4SI-4GSSNGSJ-F

Innodisk, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Low Voltage & commercial grade IC & red color PCB
DIMM Datarate 2400
Die Version F
PCB S/N N

Innodisk M4SI-4GSSNI0K-F

Innodisk, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version F
PCB S/N N

Innodisk M4SI-4GSSNIRG-F

Innodisk, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version F
PCB S/N N

Innodisk M4SI-4GSSNISJ-F

Innodisk, DDR4 mit 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 4 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version F
PCB S/N N

Innodisk M4SI-8GM1NISJ-E

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
IC Brand Micron
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version E
PCB S/N N

Innodisk M4SI-8GS1N50K-C

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 19
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N N

Innodisk M4SI-8GS1NI0K-C

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 19
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N N

Innodisk M4SI-8GS1NIRG-C

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version C
PCB S/N N

Innodisk M4SI-8GS1NISJ-C

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version C
PCB S/N N

Innodisk M4SI-8GSSO50K-F

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version F
PCB S/N O

Innodisk M4SI-8GSSO5RG-F

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version F
PCB S/N O

Innodisk M4SI-8GSSO5SJ-F

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version F
PCB S/N O

Innodisk M4SI-8GSSOI0K-F

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 19
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version F
PCB S/N O

Innodisk M4SI-8GSSOIRG-F

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 15
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version F
PCB S/N O

Innodisk M4SI-8GSSOISJ-F

Innodisk, DDR4 mit 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 8 GB
CL 17
IC Organization 512Mx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version F
PCB S/N O

Innodisk M4SI-AGS1O50K-C

Innodisk, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 19
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N O

Innodisk M4SI-AGS1O5RG-C

Innodisk, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version C
PCB S/N O

Innodisk M4SI-AGS1O5SJ-C

Innodisk, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version C
PCB S/N O

Innodisk M4SI-AGS1OI0K-C

Innodisk, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 19
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version C
PCB S/N O

Innodisk M4SI-AGS1OIRG-C

Innodisk, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 15
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2133
Die Version C
PCB S/N O

Innodisk M4SI-AGS1OISJ-C

Innodisk, DDR4 mit 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
System Speicher Kapazität 16 GB
CL 17
IC Organization 1Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400
Die Version C
PCB S/N O

Innodisk M4SI-BGS2O50K-A

Innodisk, DDR4 mit 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
System Speicher Kapazität 32 GB
CL 19
IC Organization 2Gx8
IC Brand Samsung
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2666
Die Version A
PCB S/N O