Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4D0-4GSSICSJM4D0-4GSSICIK, M4D0-4GSSICSJ
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau260 Pin SO-DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeECC Unbuffered SO DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität4 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/NI
GradeCommercial
DIMM Datarate2400, 2666
CL17, 19
ECCwird unterstützt
Bestückung Single-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich0°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorSO-DIMM
Länge70 mm
Höhe18 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
DIMM Datarate
2 Standardvarianten

Innodisk, M4D0-4GSSICIK, -
System Speicher CL 19
DIMM Datarate 2666
Innodisk, M4D0-4GSSICSJ, -
System Speicher CL 17
DIMM Datarate 2400