Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR4-M4UI-8GSSWM4UI-8GSSW50k-F, M4UI-8GSSWISJ-F
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau288 Pin DIMM DDR4
Memory TypeDDR4
DIMM TypeUnbuffered DIMM
IC Data Rate2666
Kapazität8 GB
IC BrandSamsung
IC Organization512Mx8
PCB S/NW
GradeWide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate2400, Original specification
CL17, 19
Die VersionF
ECCwird nicht unterstützt
Bestückung Dual-Rank
tREFI Parameter 1Average Periodic Refresh Interval7.8 µS (4 GB)
Temperaturbereich-40°C~ 85°C
Stromversorgung
Eingangsspannung1.2V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb-40° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Länge133 mm
Höhe19 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
Konfiguration noch nicht komplett.
 

System Speicher CL
Grade
DIMM Datarate
2 Standardvarianten

Innodisk, M4UI-8GSSW50k-F, -
System Speicher CL 19
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate Original specification
Innodisk, M4UI-8GSSWISJ-F, -
System Speicher CL 17
Grade Wide Temperature -40~+85°C
DIMM Datarate 2400