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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
L |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
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|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
Innodisk M4CE-AGM1MWUN-R Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
R |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
Innodisk M4CE-AGS1MW0M-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
Innodisk M4CE-AGS1MWUN-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
Innodisk M4CE-BGS2MW0M-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 3200, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
3200 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |
Innodisk M4CE-BGS2MWUN-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2933, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2933 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
M |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (wide) |