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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 2 GB, 256Mx16, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
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|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-4GSSPCRG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-4GSSPCSJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-8GS1P50K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-8GS1P5RG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-8GS1P5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-8GS1PC0K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-8GS1PCRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-8GS1PCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-8GSSQ50K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-8GSSQ5RG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-8GSSQ5SJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-8GSSQC0K-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-8GSSQCRG-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-8GSSQCSJ-F Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
F |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-8GT1PC0K-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
CXMT |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
P |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-AGS1Q50K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-AGS1Q5RG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-AGS1Q5SJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-AGS1QC0K-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-AGS1QCRG-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2133, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2133 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-AGS1QCSJ-C Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 2400, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2400 |
|
|
Die Version |
C |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |
Innodisk M4DI-BGS2Q50K-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Wide Temperature |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
-40° bis 85°C (sorting wide) |
Innodisk M4DI-BGS2QC0K-A Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
SO-DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 2666, 1.2V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
Grade |
Commercial |
|
|
DIMM Datarate |
2666 |
|
|
Die Version |
A |
|
|
PCB S/N |
Q |
Mechanik / Umgebung |
Temperatur |
Betrieb |
0° bis 85°C |