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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
3200 MHz |
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Kapazität |
4 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2666 MHz |
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|
Kapazität |
4 GB |
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|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2133 / 2400 MHz |
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|
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2400 MHz |
|
|
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
17 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 4 GB, 512Mx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2933 MHz |
|
|
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2666 MHz |
|
|
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Micron |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2133 / 2400 MHz |
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|
Kapazität |
8 GB |
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CL |
15 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Micron |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2400 MHz |
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|
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Micron |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
3200 MHz |
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|
Kapazität |
8 GB |
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CL |
22 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2666 MHz |
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|
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2133 / 2400 MHz |
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|
Kapazität |
8 GB |
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CL |
15 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2400 MHz |
|
|
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 1Gx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2933 MHz |
|
|
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
|
|
PCB S/N |
L |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
3200 MHz |
|
|
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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|
PCB S/N |
M |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2666 MHz |
|
|
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
M |
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2133 / 2400 MHz |
|
|
Kapazität |
8 GB |
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|
CL |
15 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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|
PCB S/N |
M |
Innodisk M4C0-8GSSMWSJ Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2400 MHz |
|
|
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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|
PCB S/N |
M |
Innodisk M4C0-8GSSMWUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 8 GB, 512Mx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2933 MHz |
|
|
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
21 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
PCB S/N |
M |
Innodisk M4C0-AGM1MWIK Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2666 MHz |
|
|
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
PCB S/N |
M |
Innodisk M4C0-AGM1MWRG Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2133 / 2400 MHz |
|
|
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
15 |
|
|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
PCB S/N |
M |
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2400 MHz |
|
|
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
17 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
PCB S/N |
M |
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
3200 MHz |
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|
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
PCB S/N |
M |
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2666 MHz |
|
|
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
19 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
M |
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2133 / 2400 MHz |
|
|
Kapazität |
16 GB |
|
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CL |
15 |
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|
IC Organization |
1Gx8 |
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|
IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
M |
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2400 MHz |
|
|
Kapazität |
16 GB |
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CL |
17 |
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IC Organization |
1Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
M |
Innodisk M4C0-AGS1MWUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 16 GB, 1Gx8, 1.2V
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System |
Speicher |
Frequenz |
2933 MHz |
|
|
Kapazität |
16 GB |
|
|
CL |
21 |
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IC Organization |
1Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
PCB S/N |
M |
Innodisk M4C0-BGS2MWEM Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
3200 MHz |
|
|
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
22 |
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|
IC Organization |
2Gx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
PCB S/N |
M |
Innodisk M4C0-BGS2MWUN Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR4, ECC, 32 GB, 2Gx8, 1.2V
|
System |
Speicher |
Frequenz |
2933 MHz |
|
|
Kapazität |
32 GB |
|
|
CL |
21 |
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IC Organization |
2Gx8 |
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IC Brand |
Samsung |
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PCB S/N |
M |