Innodisk M3UT DDR3L VLP

M3UT-2GMJNL0E-K, M3UT-2GMJNLN9-K, M3UT-2GMJNLPC-K, M3UT-4GMJGLM7-K, M3UT-4GMJGLN9-K, M3UT-4GMJGLPC-K, M3UT-4GMSNL0E-P, M3UT-4GMSNLN9-P, M3UT-4GMSNLPC-P, M3UT-8GMSGLN9-P, M3UT-8GMSGLPC-P, M3UT-8GSSGLM7-E, M3UT-8GSSGLN9-E, M3UT-4GSSNL0E-E, M3UT-4GSSNLN9-E, M3UT-4GSSNLPC-E, M3UT-8GSSGLPC-E

DDR3

PRODUKT-FEATURES

// DIMM
// DDR3
//  [2 GB | 4 GB | 8 GB]
// [256Mx8 | 512Mx8]
// [1066 | 1333 | 1600 | 1866] MT/s
// 1.35V

KONFIGURATION

Bitte konfigurieren Sie Ihr Wunschprodukt.
Standardkonfiguration Individualkonfiguration

PRODUKTPREIS

Preise und Lieferzeiten sind für registrierte und angemeldete Kunden sichtbar. Neukunden können diese unverbindlich anfragen.

Verkauf nur an gewerbliche Kunden.
Lieferzeit: auf Anfrage

PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk M3UT DDR3L VLP

Allgemein
SKU / ArtikelnummerM3UT DDR3L VLPM3UT-2GMJNL0E-K, M3UT-2GMJNLN9-K, M3UT-2GMJNLPC-K, M3UT-4GMJGLM7-K, M3UT-4GMJGLN9-K, M3UT-4GMJGLPC-K, M3UT-4GMSNL0E-P, M3UT-4GMSNLN9-P, M3UT-4GMSNLPC-P, M3UT-4GSSNL0E-E, M3UT-4GSSNLN9-E, M3UT-4GSSNLPC-E, M3UT-8GMSGLN9-P, M3UT-8GMSGLPC-P, M3UT-8GSSGLM7-E, M3UT-8GSSGLN9-E, M3UT-8GSSGLPC-E
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeUnbuffered DIMM
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
PCB S/NG, N
GradeCommercial
CL7, 9, 11, 13
DIMM DatarateDDR3-1066 MT/s, DDR3-1333 MT/s, DDR3-1600 MT/s, DDR3-1866 MT/s
Die VersionE, K, P
ECCwird nicht unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V
Mechanik / Umgebung
TemperaturBetrieb0° bis 85°C
Lagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Tiefe133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
LinkedIn Twitter Facebook