Innodisk DDR3L VLP M3C0

M3C0-2GMJ4LN9, M3C0-2GMJ4LPC, M3C0-2GMJ4LQE, M3C0-4GMJ5LN9, M3C0-4GMJ5LPC, M3C0-4GMJ5LQE, M3C0-4GMS4LN9, M3C0-4GMS4LPC, M3C0-4GMS4LQE, M3C0-4GSS4LN9, M3C0-4GSS4LPC, M3C0-4GSS4LQE, M3C0-8GMS5LN9, M3C0-8GMS5LPC, M3C0-8GMS5LQE, M3C0-8GSS5LN9, M3C0-8GSS5LPC, M3C0-8GSS5LQE

DDR3

PRODUKT-FEATURES

DIMM
DDR3
ECC
[2 GB | 4 GB | 8 GB]
[256Mx8 | 512Mx8]
[1600 | 1866 | 1333]
1.35V

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PRODUKTINFORMATIONEN
KONFIGURATIONEN

Basismodul: Innodisk DDR3L VLP M3C0

Allgemein
SKU / ArtikelnummerDDR3-DDR3L VLP M3C0M3C0-2GMJ4LN9, M3C0-2GMJ4LPC, M3C0-2GMJ4LQE, M3C0-4GMJ5LN9, M3C0-4GMJ5LPC, M3C0-4GMJ5LQE, M3C0-4GMS4LN9, M3C0-4GMS4LPC, M3C0-4GMS4LQE, M3C0-4GSS4LN9, M3C0-4GSS4LPC, M3C0-4GSS4LQE, M3C0-8GMS5LN9, M3C0-8GMS5LPC, M3C0-8GMS5LQE, M3C0-8GSS5LN9, M3C0-8GSS5LPC, M3C0-8GSS5LQE
Produktgrunddaten
HerstellerInnodisk
System
SpeicherAufbau240 Pin DIMM DDR3L
Memory TypeDDR3
DIMM TypeECC Unbuffered DIMM
IC Data RateNon-Fixed
Kapazität2 GB, 4 GB, 8 GB
IC BrandMicron, Samsung
IC Organization256Mx8, 512Mx8
CL9, 11, 13
DIMM Datarate1600, 1866, DDR3-1333
ECCwird unterstützt
Stromversorgung
Eingangsspannung1.35V
Mechanik / Umgebung
TemperaturLagerung-50° bis 100°C
Relative LuftfeuchtigkeitBetrieb10 bis 90%, nicht kondensierend
Lagerung5 bis 95%, nicht kondensierend
AbmaßeFormfaktorDIMM
Breite133,35 mm
Höhe18,75 mm
Zertifikate / Konformitäten
CEJa
RoHS konformJa
   +49 6122 17071 50
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