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DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1333, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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CL |
9 |
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IC Organization |
256Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
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DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1600, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
11 |
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IC Organization |
256Mx8 |
|
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IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 |
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DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx8, 1866, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
13 |
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IC Organization |
256Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 |
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DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1333, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
9 |
|
|
IC Organization |
256Mx16 |
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|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
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DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1600, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
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DIMM Datarate |
1600 |
Innodisk M3U0-2GMVHLQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1866, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
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|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
1866 |
Innodisk M3U0-2GSVHLN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1333, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
Innodisk M3U0-2GSVHLPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1600, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1600 |
Innodisk M3U0-2GSVHLQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 2 GB, 256Mx16, 1866, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
2 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
256Mx16 |
|
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IC Brand |
Samsung |
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DIMM Datarate |
1866 |
Innodisk M3U0-4GMJALN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1333, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
Innodisk M3U0-4GMJALPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1600, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1600 |
Innodisk M3U0-4GMJALQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 4 GB, 256Mx8, 1866, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
256Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 |
Innodisk M3U0-4GMSBLN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
9 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
Innodisk M3U0-4GMSBLPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
1600 |
Innodisk M3U0-4GMSBLQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1866, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
1866 |
Innodisk M3U0-4GSSBLM7 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1066, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
7 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
DDR3-1066 |
Innodisk M3U0-4GSSBLN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1333, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
Innodisk M3U0-4GSSBLPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1600, 1.35V
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System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
1600 |
Innodisk M3U0-4GSSBLQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 4 GB, 512Mx8, 1866, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
4 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
1866 |
Innodisk M3U0-8GMSALN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
9 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
|
DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
Innodisk M3U0-8GMSALPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
11 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
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IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
1600 |
Innodisk M3U0-8GMSALQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Micron |
|
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DIMM Datarate |
1866 |
Innodisk M3U0-8GSSALN9 Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
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DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1333, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
9 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
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DIMM Datarate |
DDR3-1333 |
Innodisk M3U0-8GSSALPC Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1600, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
11 |
|
|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1600 |
Innodisk M3U0-8GSSALQE Vollständiges Datenblatt anzeigen Datenblatt schliessen
|
DIMM, DDR3, 8 GB, 512Mx8, 1866, 1.35V
|
System |
Speicher |
Kapazität |
8 GB |
|
|
CL |
13 |
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|
IC Organization |
512Mx8 |
|
|
IC Brand |
Samsung |
|
|
DIMM Datarate |
1866 |